ЦМСТ
выполняет работы по изготовлению микроэлектронных изделий по документации заказчика
Участок особочистого производства, класс 4
Проверка электрических параметров
Проверка электрических параметров
Проверка электрических параметров
Резка пластин
Создание золотых проводников
Создание золотых проводников
Создание алюминиевых проводников
Создание алюминиевых проводников
Шовно-роликовая герметизация
Автоматическая упаковка выпускаемой продукции
Продукция
Наши преимущества |
ВКОНТАКТЫ: Калинина Людмила Александровна Начальник производства kalinina@nitiavangard.ru (812)740-08-11 доб. 84-47
Возможности
|
Разработка и производство: • резонаторы и полосовые фильтры на ПАВ на частоты до 3 ГГц; • дисперсионные линии задержки на ПАВ с центральной частотой до 700 МГц и уровнем боковых лепестков до -35 дБ; • гиперзвуковые линии задержки на ОАВ на частоты 7 — 12 ГГц; • метки на ПАВ для систем радиочастотной идентификации и контроля температуры на рабочие частоты до 2,45 ГГц; • датчики физических величин на ПАВ и МЭМС – структурах; • микросборки, гибридные сборки и электронные модули; • микрополосковые платы. Технологическая кооперация: • напыление тонких пленок металлов и диэлектриков; • «сухое» травление металлических и диэлектрических материалов; • анодная сварка пластин; • монтаж, разварка и герметизация микроэлектронных изделий в металлокерамические, металлостеклянные корпуса. Физико-химический анализ: • растровая электронная микроскопия, совмещенная с рентгеновским микроанализом; • анализ методом дифракции рентгеновских лучей (XRD-анализ); • атомно-силовая микроскопия; Фотолитография: • проведение прямой и обратной «lift-off» литографии с топологической нормой до 0.35 мкм на пластинах диаметром 76, 100 и 150 мм; • нанесение, сушка и проявление фоторезиста в автоматизированном режиме. Химическая обработка: • проведение групповой химической очистки пластин диаметром 76, 100, 150 мм в органических и неорганических растворах; • жидкостное химическое травление пленок металлов и объемное травление пластин кремния. Вакуумные процессы: • вакуумное электронно-лучевое и магнетронное напыление пленок металлов (Al, Ti, V, Cr, Cu, Ni, Ta и др.) и пленок соединений (ZnO, AlN, SiOx); • «сухое» ионно-лучевое травление пленок металлов, в т.ч. Au, Pt, Ir; • «сухое» ионно-лучевое травление пластин Si, пьезокварца, ниобата лития, танталата лития. |
       |
Сборочные процессы: • утонение полупроводниковых пластин (Ø 76, 100 мм) с отклонением от заданного значения толщины < 5 мкм); • разделение пьезоэлектрических и полупроводниковых пластин (до 200х200 мм / до Ø200 мм) на кристаллы при помощи алмазного диска; • монтаж кристаллов в корпус (максимальный размер подложки/печатной платы: 400х280 мм) с точностью позиционирования от ±0,005 мм; • формирование сквозных отверстий в кристаллах (толщиной от 0,15 до 1,0 мм), минимальный диаметр отверстия 0,1 мм; • монтаж кристаллов по технологии «флип-чип» (размеры подложки до 150х150 мм, размеры кристаллов от 1х1 до 15х15 мм); • анодная сварка полупроводников с диэлектриками (диаметр соединяемых пластин 76, 100, 150 мм, толщина соединяемых пластин 0,15 мм (для Ø76 мм), 0,3-1,0 мм (для Ø100, 150 мм); • диффузионная сварка материалов; • сборка бескорпусных кристаллов; • разварка выводов клином (диаметр проволоки от 25 до 75 мкм, размеры рабочей области 250х150 мм); • герметизация корпусов конденсаторной и шовно-роликовой сваркой (размеры корпусов от 3х3 до 203х203 мм); • проверка герметичности на большие и малые течи; • лазерная маркировка; • зондовый контроль. |
Методы контроля:
   |
|
КОНТАКТЫ: Калинина Людмила Александровна Начальник производства kalinina@nitiavangard.ru (812)740-08-11 доб. 84-47